摘要:由于 SSD 的读写模式是将数据分散到多个快闪存晶片内的储存区块,读取的时候就像 BT 一样,读取的储存区块越多,读写速度越快。

早前有外国网站做了一个测试,利用 32GB 的 iPhone 7 Plus 在 NAND 快闪储存晶片的读写速度,远远慢过 128GB 的版本。事件令不少人怀疑,用 32GB 的 iPhone 7 是否会慢过 128GB 的 iPhone 7?其实,事件不是大家想像中那么简单。

会出现这个结果,这不是因为 32GB 版 iPhone 的问题,而是 NAND 晶片本身的读写方式导致。先说一下 iPhone 7 有关 NAND 晶片技术上的资料。iPhone 7 的 NAND 晶片是由两家供应商东芝和 SK Hynix 提供的,两者属 15nm 制程,但那次的测试并没有提到使用的晶片类型,如果两家供应商之间的 NAND 储存晶片不同,相信新闻就会变成「Apple A9 晶片门」的翻版。

而且,不同容量版本的 NAND 晶片使用技术也有不同,256GB 版本 iPhone 7 使用的晶片是东芝的 48 层 3D BiC NAND 快闪储存晶片,但 128GB 和 32GB 只是使用 TLC NAND 快闪储存晶片,在晶片技术上 3D NAND 是相对于传统的 2D NAND 技术,以堆叠的形式扩展快闪储存晶的容量和储存模组的密度,最终提升读写速度。不过,今次测试的是 128GB 和 32GB 的型号也是使用 TLC NAND 快闪储存晶片,并没有 3D/2D NAND 的晶片技术差异。为何还有差别那么大的结果?

科普:为何32GB iPhone 7的快闪储存会慢过128GB!-

iFixit 拆解 iPhone 7 Plus 的晶片可以發現使用的快閃儲存晶片是來自東芝以及 SK Hynix

答案也许要在晶片身上找到,是 NAND 快闪储存晶片的读写方式导致。由于 SSD 的读写模式是将数据分散到多个快闪存晶片内的储存区块,读取的时候就像 BT 一样,读取的储存区块越多,读写速度越快。这情况就像在电脑的 SSD 硬碟一样,同一个品牌型号的 SSD 硬碟之中,256GB 内置的储存晶片数量,会比 128GB 为多。你也许会透过一些跑分,发现 256GB 的容量的读写速度会快于 128GB。同样道理,iPhone 的 NAND 快闪储存晶片也会有大量储存的区块,在 128GB 的容量下,读写档案的时候会有多个容量的区块一起读写,效率就会更快了。